指望更大容量的手机?明年可能不会有了
时间:2018-07-13 10:08 作者: 卓玥 来源: 39度
三星此次发布的第五代 V-NAND 最高仅有单芯片 256GB,论容量密度的话,还赶不上去年年底的第四代收官之作。要知道,这是在堆叠层数增加了差不多 50% 的前提下,换来的却反而是容量的减半。乍看之下,这非常没有道理,不是么?...

"1981 年,比尔盖茨曾说,未来的电脑只需要 640KB 的内存大小,就绝对够用了,不会有需求超过 640KB 的程序出现。"

这句话在很长一段时间里,都曾被作为 " 大人物也会犯严重的错误 " 的例子,在各种鸡汤文里反复出现。虽然其实比尔盖茨本人早在 1996 年就已经辟谣 " 我没说过这话 ",但关于计算机技术必然持续进步这一常识,如今倒是已经被公众广泛接受——比如说,如今游戏 PC 的内存就早已是 16GB 起步,640KB 什么的,早已成为了浮云。

不过,对于智能手机来说,近年来持续的内置存储容量提升,很可能要在明年迎来一波停滞——这是怎么回事呢?

" 罪魁祸首 " 当然是存储半导体巨头三星——去年 7 月,他们曾经发布了旗下的第四代 V-NAND 堆叠闪存,发布时的初始容量 256GB,工作电压 1.8v,理论读写带宽可达 1Gbps。而在去年年底,三星再接再厉,在工艺并未改进的前提下,将 64 层堆叠的第四代 V-NAND 做到了单芯片 512GB,成就了今年诸如 OPPO Find X 兰博基尼版、坚果 R1 顶配版(使用了两颗闪存达成 1TB 容量)等一众超旗舰。

时隔一年之后,三星的第五代 V-NAND 闪存如期而至,和上一代相比,它的堆叠层数从 64 层提高到 90 层,每一层之间以硅穿孔技术相连接。在性能方面,新一代的闪存带宽提升到了 1.4Gbps,相比上一代提高了 40% 之多,与此同时,它的工作电压从 1.8v 降低到 1.2v,功耗和发热量都随之降低。

性能提高了 40%、功耗降低了 30%,新一代的闪存芯片看起来似乎什么都好——除了一点,它的容量……

三星此次发布的第五代 V-NAND 最高仅有单芯片 256GB,论容量密度的话,还赶不上去年年底的第四代收官之作。要知道,这是在堆叠层数增加了差不多 50% 的前提下,换来的却反而是容量的减半。乍看之下,这非常没有道理,不是么?

事实上,仔细想想就会发现,三星还是没有 " 坑 " 大家的——一方面来说,目前智能手机的主流闪存容量还停留在 64GB 这一档,128GB 对于很多中高端手机都算是顶配了—— 256GB、性能更高的闪存支撑旗舰定位毫无问题。

另一方面来说,在手机内置闪存芯片容量没有获得很大突破,39度发现甚至稍有倒退的情况下,包括三星、西数等厂商也早已做好了准备:速度接近 1GB/s 的下一代 SDEX 存储卡、和手机内置 UFS 闪存采用相同技术的 UFS 存储卡,这些超高速存储卡的出现使得未来的手机不用再纠结容量不够的问题,同时还能保有足够快的存储速度。

只不过,对于那些并不打算接纳存储卡的手机来说,新一代闪存芯片容量并未增加,对于它们或许确实会造成一些困扰——这就只有让我们拭目以待了,不是么?

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